Filtro armonico ibrido
Active harmonic filter(SiC) is a new generation of active power filter (APF) designed with silicon carbide materials. Its dual-core design offers faster operation, lower losses, and higher device efficiency (>99%). Oltre a compensare dinamicamente le armoniche, i prodotti APF possono anche compensare la potenza reattiva, risolvendo problemi di qualità dell'energia come fluttuazioni di tensione e sfarfallio. I prodotti APF utilizzano una tecnologia di controllo all'avanguardia--dell'-arte per un controllo completamente automatizzato, il che li rende la scelta preferita per l'eliminazione delle armoniche.
Descrizione dei prodotti
Articolo n.: L-Ordine HTS900M(SiC) (MOQ):1
Origine del prodotto: Shanghai, Cina Peso:
Il filtro armonico attivo SiC è un dispositivo di eliminazione delle armoniche completamente digitale di prossima generazione-sviluppato internamente da noi. Rispetto alla tecnologia tradizionale, offre vantaggi distinti come tempi di risposta più rapidi, dimensioni compatte, funzionalità migliorate, facilità di installazione e manutenzione e messa in servizio semplice. Può affrontare efficacemente e facilmente i problemi di qualità dell'alimentazione. L'APF compensa dinamicamente le armoniche, risolvendo in modo efficace problemi quali il basso fattore di potenza e gli squilibri trifase-nella qualità dell'alimentazione.
Il dispositivo di alimentazione principale adotta il componente semiconduttore SiC Mosfet di nuova generazione-, che offre una frequenza di commutazione superiore a 100 kHz, elevata densità di potenza, basse perdite ed elevata efficienza, con un tasso di filtraggio armonico fino al 97%. Supporta molteplici modalità di compensazione, tra cui armoniche, potenza reattiva e squilibrio trifase. Il PCBA è completamente sigillato, garantendo protezione da polvere, condensa e nebbia salina. Il dispositivo offre opzioni di installazione flessibili (montaggio su armadio-o montaggio a parete-) e la manutenzione è semplice.
Caratteristiche del prodotto
Scheda dati
| Parametri elettrici | |
| Metodo di cablaggio | Tri-tre fasi-fili, tri-quattro fasi-fili |
| Tensione operativa | 380V/220V±20% |
| Frequenza operativa | 50/60 Hz, ±10% |
| Specifiche del prodotto | 30A, 50A, 75A, 100A, 150A |
| Specifiche del trasformatore di corrente | 50:5 ~ 20000:5, 50:1~20000:1 |
| Rumore | ＜65 dB |
| Caratteristiche tecniche | |
| Commutazione dei dispositivi | Mosfet SiC |
| Frequenza di commutazione | >100kHz |
| Metodi di dissipazione del calore | Raffreddamento ad aria intelligente |
| Controllo della dissipazione del calore | Regolazione adattiva della velocità della ventola |
| Funzioni di protezione | Protezione da sovracorrente in uscita, protezione da limitazione della corrente in uscita, protezione da sovra-temperatura, protezione da sovratensione bus CC, protezione da sottotensione ingresso CA, protezione da sovratensione ingresso CA, protezione da guasti del sistema di controllo, protezione da danni ai componenti del circuito principale e protezione da disconnessione |
| Prestazione di compensazione | |
| Tasso di filtraggio armonico | ＞97% |
| Efficienza complessiva | Maggiore o uguale al 99% |
| Perdita di potenza attiva | ＜1% |
| Gamma di filtraggio armonico | Le armoniche dalla 2a alla 50a possono essere controllate e configurate individualmente. |
| Tempo di risposta totale | ＜5 ms |
| Soppressione della risonanza | Inibizione attiva |
| Interfaccia di visualizzazione | |
| Schermo di visualizzazione | Touchscreen a colori da 7-piedi |
| Lingua | Cinese, inglese e lingue personalizzabili. |
| Visualizzazione della batteria | Visualizza i dati tra cui tasso di distorsione, fattore di potenza, potenza, tensione e corrente. |
| Interfaccia di comunicazione e tipo di protocollo | RS485, TCP/IP, protocolli Modbus e trasmissione dati a lunga distanza-4G. |
| Condizioni ambientali | |
| Temperatura operativa | -25 gradi ~+50 gradi |
| Umidità relativa | <95%, no condensation |
| Altitudine | <5000 meters (above 1000 meters, capacity decreases by 1% for every additional 100 meters) |
| Altri | |
| Livello di protezione | Grado di protezione IP20, altri gradi disponibili su richiesta. |
| Metodo di installazione | Configurazioni con montaggio su rack-, montaggio a parete- e armadio integrato. |
Q&A
Quali sono i vantaggi del SiC rispetto all’IGBT?
Dimensioni ridotte, alta tecnologia, basse perdite
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ORDINARE |
IGBT |
MOSFET SiC |
NOTA |
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Frequenza di commutazione |
20kHz |
>100kHz (frequenza di commutazione equivalente) |
Ottimizzare le dimensioni del dispositivo per ridurre l'ondulazione in uscita (migliorare la stabilità della potenza erogata e garantire la stabilità dell'apparecchiatura) |
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Velocità di calcolo |
40us |
4noi |
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|
Temperatura di giunzione del dispositivo |
150 gradi |
175 gradi |
Ambiente di utilizzo più ampio |
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Perdite del dispositivo di commutazione |
3% |
1% |
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|
Perdita della macchina |
3.5% |
1.2% |
Utilizzo più efficiente- dal punto di vista energetico |
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Confronto delle perdite |
2,4 gradi all'ora |
0,83 gradi all'ora |
Prendiamo ad esempio 100A, 1 yuan/kWh |
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Consumo energetico annuo |
21024RMB |
7270,8RMB |
24 ore, 365 giorni all'anno |
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Efficienza complessiva |
＞96.5% |
＞98.8% |
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Densità di potenza (50 A) mm |
466*625*180 |
500*504*100 |
Volume ridotto di oltre il 55% e peso ridotto di oltre il 60% |
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Densità di potenza (100 A) mm |
466*625*222 |
592*504*100 |
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Capacità installata dell'intero armadio (A) |
MAX750A |
MAX1000A |
Dimensioni armadio singolo (1000*1000*2200) mm |
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